11月22日，2019年新當(dāng)選科學(xué)院院士名單正式公布。硅襯底LED技術(shù)發(fā)明人、晶能光電創(chuàng)始人、南昌大學(xué)副校長(zhǎng)江風(fēng)益教授赫列其中，這是國(guó)家對(duì)其科學(xué)成就的*高榮譽(yù)，也是繼硅襯底LED技術(shù)獲得2015年國(guó)家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)以來(lái)，我國(guó)LED照明領(lǐng)域的又一件大喜事。

早在1997年，江風(fēng)益教授便開始了LED技術(shù)的研究工作，但不滿足于跟蹤模仿，2003年江風(fēng)益教授率領(lǐng)團(tuán)隊(duì)開始研究在硅襯底上生長(zhǎng)氮化鎵LED材料，2005年取得重大技術(shù)突破，并在2006年和王敏等人引進(jìn)風(fēng)險(xiǎn)投資共同創(chuàng)立了晶能光電，在全球率先實(shí)現(xiàn)了硅襯底藍(lán)光LED大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。2015年國(guó)家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)花落硅襯底LED技術(shù)，奠定了我國(guó)在全球硅襯底LED技術(shù)領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。

硅襯底藍(lán)光LED技術(shù)歷經(jīng)十三年的迭代升級(jí)，產(chǎn)品性能與國(guó)際大廠并跑，晶能光電的硅襯底藍(lán)光LED芯片擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，可大功率大電流驅(qū)動(dòng)，單面出光方向性好，散熱好可靠性高，在大功率照明領(lǐng)域如汽車照明、手機(jī)閃光燈、高端移動(dòng)照明等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，成功實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代，出貨量均位居行業(yè)前列。同時(shí)，由硅襯底LED藍(lán)光技術(shù)催生了一條以晶能光電-晶能半導(dǎo)體-中節(jié)能晶和照明-綠野汽車照明為主力企業(yè)的硅襯底LED產(chǎn)業(yè)鏈，并且在江西省政府打造南昌光谷、建設(shè)千億產(chǎn)業(yè)基地的政策紅利下，吸引了越來(lái)越多的LED企業(yè)，如中微半導(dǎo)體、鴻利光電、兆馳光電、乾照光電、易美芯光等企業(yè)落戶南昌，在南昌形成了擁有完整自主知識(shí)的LED產(chǎn)業(yè)集群。

硅襯底LED技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不止于藍(lán)光LED，以硅襯底LED藍(lán)光技術(shù)為基礎(chǔ)，可擴(kuò)展至紫外、黃綠光、電子器件等領(lǐng)域。晶能光電成功開發(fā)出了國(guó)內(nèi)*的硅襯底紫外LED光源，大量應(yīng)用于在工業(yè)固化（油墨、印刷等）、美甲、誘蚊等領(lǐng)域，在國(guó)內(nèi)出貨量也位居前列。在前沿技術(shù)領(lǐng)域，晶能光電將大尺寸硅襯底LED技術(shù)的優(yōu)勢(shì)延伸至Micro LED和氮化鎵電子器件，特別是氮化鎵電子器件，在材料外延領(lǐng)域處于國(guó)內(nèi)*。同時(shí)江風(fēng)益教授團(tuán)隊(duì)的硅襯底LED黃綠光技術(shù)水平處于世界*水平，技術(shù)成果獲得包括諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)獲得者中村修二等國(guó)際權(quán)威的認(rèn)可。

可以想象，硅襯底LED技術(shù)是一項(xiàng)根技術(shù)，可以覆蓋紫外、藍(lán)光、綠光、電子器件等各項(xiàng)分支技術(shù)，由各項(xiàng)分支技術(shù)可催生出多鏈產(chǎn)業(yè)，不斷開枝散葉，茁壯成長(zhǎng)。晶能光電CEO王敏對(duì)此非常有信心，他說(shuō)：江風(fēng)益教授當(dāng)選院士是對(duì)硅襯底LED技術(shù)的又一大貢獻(xiàn)，未來(lái)五年，通過(guò)技術(shù)開放、基金支持、筑巢引鳳，以硅襯底LED技術(shù)為基礎(chǔ)，硅襯底LED產(chǎn)業(yè)將吸引并孵化上百家企業(yè)，在南昌形成300億元規(guī)模的高端特種照明產(chǎn)業(yè)集群。

本文轉(zhuǎn)載自阿拉丁，內(nèi)容均來(lái)自于互聯(lián)網(wǎng)，不代表本站觀點(diǎn)，內(nèi)容版權(quán)歸屬原作者及站點(diǎn)所有，如有對(duì)您造成影響，請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系我們予以刪除！